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SCT20N120中文资料

SCT20N120图片

SCT20N120外观图

  • 大小：494KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
  • 现有数量：151现货
  • 价格：1 : ￥135.78000管件
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：290 毫欧 @ 10A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：45 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）：+25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 400 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：175W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：HiP247?
  • 封装/外壳：TO-247-3

SCT20N120供应商

更新时间:2023-01-25 15:30:09
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