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SCT20N120中文资料

SCT20N120图片

SCT20N120外观图

  • 大小:494KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
  • 现有数量:151现货
  • 价格:1 : ¥135.78000管件
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss):1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):290 毫欧 @ 10A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):45 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值):+25V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):650 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):175W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:HiP247?
  • 封装/外壳:TO-247-3

SCT20N120供应商

更新时间:2023-01-25 15:30:09
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